ON Semiconductor?SUPERFET III MOSFET 是新的高電壓?Ω 接點 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現卓越的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于有效減少各種電源系統并提高系統效率。
經過 100% 雪崩測試
符合 RoHS
典型值 RDS (接通) = 32 mΩ m Ω
內部柵極電阻： 0.7 Ω
超低柵極電荷 (典型值 QG = 132 nC)
TJ = 150 oC 時為 700 V
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 62 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.04 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
