低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 3.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
增強模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 136 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 4.5mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 156 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 寬度 | 10.27mm |
| 長度 | 10.35mm |