當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





訂 貨 號(hào):TPN4R303NL 品牌:東芝_Toshiba
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

高效直流-直流轉(zhuǎn)換器
開關(guān)穩(wěn)壓器
高速切換
小柵極電荷:QSW = 3.9 nC(典型值)
低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 5.1 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)
低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)
增強(qiáng)模式:Vth = 1.3 至 2.3 V(VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 63 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | TSON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 6.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 34 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 3.1mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 長(zhǎng)度 | 3.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14.8 nC @ 10 V |