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超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級(jí)結(jié)點(diǎn) (SJ) MOSFET這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時(shí)為 700 V
超低門電荷（典型值） QG =66 NC ）
低有效輸出電容（典型 余弦 (EFF.)=569 pF)
極佳的主體二極管性能（低 Qrr、堅(jiān)固的主體二極管）
優(yōu)化的電容
典型值 RDS(on) =80 mΩ 較高的系統(tǒng)可靠性（在低溫操作下）
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
最終產(chǎn)品
電信電源
服務(wù)器電源
EV 充電器
太陽能/UPS