STMicroelectronics STD13N60M6 MOSFET
產品詳細信息
STMicroelectronics mmesh M6 功率 mosfet 、采用 dak 封裝、可減少開關損耗。與上一代相比、它還具有更低的每區域 rds （接通）。
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
10 A |
| 最大漏源電壓 |
480 V |
| 封裝類型 |
DPAK |
| 引腳數目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
0.38 Ω |
| 通道模式 |
消耗 |
| 最大柵閾值電壓 |
25V |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
