與功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 類功率 MOSFET 系列可顯著減小電阻和柵極電荷,從而降低損耗并提高操作效率。 這些堅固的設(shè)備包含本征二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。 X2 類功率 MOSFET 提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,具有高達(dá) 120A(650V 時)額定值。 典型應(yīng)用包括:直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流和直流電動機驅(qū)動器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波、太陽能逆變器、溫度和照明控制。
極低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
本質(zhì)整流器二極管
低本質(zhì)柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 4 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-220F |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 550 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 32 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 16.07mm |
典型柵極電荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
長度 | 10.36mm |
晶體管材料 | Si |