DirectFET ?2 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、雙面冷卻以及低寄生電感和電阻，采用堅固符合 AEC-Q101 的封裝，適用于汽車應用。 DirectFET?2 MOSFET 是久經考驗的 DirectFET 封裝技術的可靠性和性能與 Infineon 的最新通道硅工藝的完美組合，在整體系統級尺寸、成本和效率方面均有改進。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | DirectFET SB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 56 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 6.35mm |
| 寬度 | 5.05mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 21 nC @ 10 V |
| 晶體管材料 | Si |
