產(chǎn)品分類

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      +比較

      onsemi NVMFD5C478NLT1G MOSFET

      訂 貨 號(hào):NVMFD5C478NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      onsemi NVMFD5C478NLT1G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。適用于汽車應(yīng)用。

      特點(diǎn)
      低接通電阻
      高電流容量

      支持 PPAP
      NVMFD5C478NLWF - 可潤側(cè)翼產(chǎn)品

      優(yōu)點(diǎn)
      最低傳導(dǎo)損耗
      可靠負(fù)載性能
      防止電壓過應(yīng)力故障
      適用于汽車應(yīng)用
      增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
      應(yīng)用
      電磁閥驅(qū)動(dòng)器
      低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
      最終產(chǎn)品
      汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制器
      防抱死制動(dòng)系統(tǒng)


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 29 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 14.5 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 23 W
      最大柵源電壓 ±20 V
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 8.1 nC @ 10 V
      長度 5.1mm
      每片芯片元件數(shù)目 2
      寬度 6.1mm
      暫無

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