Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 1.4 A，1.5 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PG-TDSOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 270 mΩ，280 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 1.6mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.6 nC @ 5 V，2.4 nC @ 5 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 2.9mm |
