產(chǎn)品分類

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      Vishay SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SI3585CDV-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Vishay SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 表面安裝雙通道 (P 和 N 通道) MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 20V。MOSFET 在 4.5V 的柵極源電壓下具有 58mohm 的漏極源電阻。它具有 3.9A 和 2.1A 的連續(xù)漏極電流。它的最大額定功率為 1.4 W 和 1.3 W。 它經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命,而不會(huì)影響性能或功能。

      特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

      ? 無(wú)鹵素
      ?無(wú)鉛 (Pb)
      ?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
      ? TrenchFET 功率 MOSFET

      應(yīng)用

      ?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
      ?驅(qū)動(dòng)器:電動(dòng)機(jī),電磁閥,繼電器
      ?用于便攜式設(shè)備的負(fù)載開(kāi)關(guān)

      認(rèn)證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ?經(jīng)過(guò) RG 測(cè)試


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N,P
      最大連續(xù)漏極電流 3.9 A , 2.1 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 TSOP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 6
      最大漏源電阻值 0.058 O , 0.195 O
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 1.5V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無(wú)

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