TJ = 150 oC 時為 700 V
無引線超薄 SMD 封裝
Kelvin 觸點
超低柵極電荷（典型值 QG = 49 常閉）
低有效輸出電容（典型值 Coss （有效） = 406 pF ）
優化的電容
典型值 RDS （開） = 100 mΩ
內部柵極電阻：0.5 Ω
低溫運行時系統可靠性更高
高功率密度
低柵噪聲和開關損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應用
電信
云系統
工業
最終產品
電信電源
服務器電源
LED 照明
適配器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 24 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 181 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 8mm |
| 寬度 | 8mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 49 nC @ 10 V |
