當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):FCMT125N65S3 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
TJ = 150 oC 時(shí)為 700 V
無引線超薄 SMD 封裝
Kelvin 觸點(diǎn)
超低柵極電荷(典型值 QG = 49 常閉)
低有效輸出電容(典型值 Coss (有效) = 406 pF )
優(yōu)化的電容
典型值 RDS (開) = 100 mΩ
內(nèi)部柵極電阻:0.5 Ω
低溫運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)可靠性更高
高功率密度
低柵噪聲和開關(guān)損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
最終產(chǎn)品
電信電源
服務(wù)器電源
LED 照明
適配器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 24 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | PQFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
最小柵閾值電壓 | 2.5V |
最大功率耗散 | 181 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長(zhǎng)度 | 8mm |
寬度 | 8mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 49 nC @ 10 V |