產(chǎn)品分類

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      Infineon IRF7321D2TRPBF MOSFET

      訂 貨 號(hào):IRF7321D2TRPBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IRF7321D2TRPBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      FETKY? IRF73xx / IRF74xx / IRF75xx / IRF78xx,Infineon

      HEXFET 與肖特基二極管于同一個(gè)封裝內(nèi)
      適用于同步調(diào)節(jié)器應(yīng)用
      低 VF 肖特基整流器
      顯著節(jié)省板空間
      縮短設(shè)計(jì)時(shí)間,削減裝配成本和庫(kù)存成本

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 4.7 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 SOIC
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 98 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 1V
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 2 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長(zhǎng)度 5mm
      典型柵極電荷@Vgs 23 nC @ 10 V
      寬度 4mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      暫無(wú)

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