MDmesh M5 功率 MOSFET 優化用于高功率 PFC 和 PWM 拓撲。 主要特征包括每硅面積的低通態損耗硅片面積與低柵極電荷。 它們設計用于節能、緊湊型且可靠的硬切換應用，例如太陽能轉換器、消費產品電源和電子照明控制。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 10 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Power Flat |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 375 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 52 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
| 寬度 | 6.35mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 5.4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 22 nC @ 10 V |
