產(chǎn)品分類

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      Infineon IPB19DP10NMATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPB19DP10NMATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Infineon IPB19DP10NMATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon OptiMOS ? P 溝道 MOSFET D2PAK 100 V 封裝,是專為電池管理,負(fù)載開關(guān)和極性反接保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新技術(shù)。P 溝道設(shè)備的主要優(yōu)點(diǎn)是降低了中,低功率應(yīng)用中的設(shè)計(jì)復(fù)雜性。它可輕松連接到 MCU ,快速切換以及雪崩堅(jiān)固性,使其適用于高質(zhì)量要求苛刻的應(yīng)用。它提供具有寬 RDS (接通) 范圍的正常電平,并且由于 Qg 低,可提高低負(fù)載時(shí)的效率。它可用于電池管理,工業(yè)自動(dòng)化。

      特別適用于高和低切換頻率
      可耐受雪崩
      工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)印跡表面安裝封裝
      堅(jiān)固,可靠的性能
      加強(qiáng)供應(yīng)安全


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 13.8 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      暫無(wú)

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