Taiwan Semiconductor 800V ， 3A ， 4。3Ω Ω ， 3 引腳， N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強溝道模式。它通常用于電源和照明應用。
低 RDS (接通) 3.3Ω (典型值)
低柵極電荷典型值 @ 19nC (典型值)
低 CRSS 典型值 @ 10.2pF (典型值)
改進的 dv/dt 能力
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
94W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 3 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-251 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 4.2. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 94 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 2.3mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.5mm |
