Infineon 功率 mosfet 利用最新的處理技術(shù),可實現(xiàn)每個硅片區(qū)域極低的接通電阻。此設(shè)計的其他特點包括 175°c 結(jié)點工作溫度、快速切換速度和改進的重復(fù)雪崩額定值。這些特點結(jié)合在一起、使此設(shè)計成為一款極其高效和可靠的設(shè)備、適用于汽車應(yīng)用和各種其他應(yīng)用。
先進 Advanced process technology
超低接通電阻快速切換
無鉛,符合 RoHS 標準
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 11 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | DPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.000175 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |