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      Vishay Siliconix SiR188DP-T1-RE3 MOSFET

      訂 貨 號:SiR188DP-T1-RE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Vishay Siliconix SiR188DP-T1-RE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      TrenchFET? Gen IV power MOSFET
      Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
      Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 60 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 SO-8
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 4 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 3.6V
      最大功率耗散 65.7 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      寬度 5mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 29 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 5.99mm
      晶體管材料 Si
      暫無

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