50 V，170 mA 雙 P 溝道 Trench MOSFET，雙 P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用超小型和扁平引線 SOT666 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術
ESD 保護達 1 kV
符合 AEC-Q101
繼電器驅動器
高速線路驅動器
高側負載開關
開關電路
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | -0.17 A |
| 最大漏源電壓 | -50 V |
| 封裝類型 | SOT-666 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 13.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -2.1V |
| 最小柵閾值電壓 | -1.1V |
| 最大功率耗散 | 1.09 W |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 1.7mm |
| 寬度 | 1.3mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.26 nC @ 2.5 V |
