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N 溝道 40 V，7.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET 采用 LFPAK56 封裝，邏輯電平 N 溝道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封裝，使用 TrenchMOS 技術(shù)。此產(chǎn)品經(jīng)過設(shè)計(jì)符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)，可用于高性能汽車應(yīng)用。

符合 Q101 標(biāo)準(zhǔn)
重復(fù)性耐雪崩等級(jí)
由于額定溫度為 175 °C，適用于對(duì)熱量要求苛刻的環(huán)境
邏輯高電平驅(qū)動(dòng)，在 175 °C 時(shí)，柵極 VGS(th) 額定值大于 0.5 V
12 V 汽車系統(tǒng)
電動(dòng)機(jī)、燈和電磁閥控制
傳輸控制
超高性能功率開關(guān)