HEXFET? 功率 MOSFET 的這一條紋平面設計最新加工工藝在單位硅面積實現極低導通電阻。此 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結點工作溫度、快速開關速度和改進的重復雪崩額定值。這些優勢相結合，形成這款極其高效且可靠的設備，適合用于各種應用。
優點：
低 RDS（接通）
動態 dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
目標應用：
消費全橋
全橋
推挽式
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 130 A |
| 最大漏源電壓 | 75 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 7.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 330 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 160 nC @ 10 V |
| 長度 | 10.67mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 4.83mm |
