產(chǎn)品分類(lèi)

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      Infineon IRF1407PBF MOSFET

      訂 貨 號(hào):IRF1407PBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IRF1407PBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      HEXFET? 功率 MOSFET 的這一條紋平面設(shè)計(jì)最新加工工藝在單位硅面積實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻。此 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速開(kāi)關(guān)速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些優(yōu)勢(shì)相結(jié)合,形成這款極其高效且可靠的設(shè)備,適合用于各種應(yīng)用。

      優(yōu)點(diǎn):
      低 RDS(接通)
      動(dòng)態(tài) dv/dt 額定值
      快速切換
      175°C 工作溫度
      目標(biāo)應(yīng)用:
      消費(fèi)全橋
      全橋
      推挽式


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 130 A
      最大漏源電壓 75 V
      封裝類(lèi)型 TO-220AB
      安裝類(lèi)型 通孔
      引腳數(shù)目 3 + Tab
      最大漏源電阻值 7.8 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 330 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 160 nC @ 10 V
      長(zhǎng)度 10.67mm
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 4.83mm
      暫無(wú)

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