MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改進的二極管反向恢復時間，可提高效率，此系列經優化可用于全橋相移 ZVS 拓撲。
高 dV/dt 能力，可提高系統可靠性
符合 AEC-Q101
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 290 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 90 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 5.15mm |
| 長度 | 15.75mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
