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      Infineon IPDD60R150G7XTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPDD60R150G7XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPDD60R150G7XTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      the Infineon 技術(shù)推出了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設(shè)備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務(wù)器和電信等高功率開關(guān)電源應(yīng)用。現(xiàn)有的高電壓技術(shù) 600V cool mos G7 superjunction ( sj )的優(yōu)勢使凝集與創(chuàng)新的頂部冷卻概念相結(jié)合、為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統(tǒng)解決方案、為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。

      提供杰出的 fom rds (接通) x eoss 和 rds (接通) x
      創(chuàng)新的頂部冷卻概念
      內(nèi)置 4th 引腳 kelvin 源配置和低寄生源 電感
      2 >> 、 000 次循環(huán)的 t15000 次循環(huán)能力、 符合 MSL1 標準、完全無鉛
      實現(xiàn)最高能效
      板和半導(dǎo)體的熱去耦可克服熱問題 印刷電路板限制
      寄生源電感降低、提高了 e 效率和易用性
      支持更高的功率密度解決方案
      高品質(zhì)標準


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 45 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 Pg/hdsop
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 10
      最大漏源電阻值 0.15 o
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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