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      onsemi NVMFD6H840NLT1G MOSFET

      訂 貨 號:NVMFD6H840NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi NVMFD6H840NLT1G MOSFET
      產品詳細信息

      汽車功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引線封裝,設計用于緊湊型高效設計,包括高熱性能。可潤側翼選件可用于增強型光學檢驗。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應用。

      體積小巧 (5x6 mm)
      緊湊設計
      低 RDS(接通)
      最大限度地減少傳導損耗
      低 QG 和電容
      最大限度地減少驅動器損耗
      NVMFS5C410NLWF ? 可潤側翼選件
      增強型光學檢驗
      支持 PPAP
      應用
      反向器電池保護
      開關電源
      電源開關(高側驅動器、低側驅動器、半橋等)


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 74 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 8.8 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 3.1 W
      晶體管配置 雙路
      最大柵源電壓 ±20 V
      寬度 5.1mm
      每片芯片元件數目 2
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
      長度 6.1mm
      暫無

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