Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，漏極源電壓為 80V ，最大柵極源電壓為 20V。在 10V 的柵極源電壓下，漏極 - 源電阻為 16.5mohm。它具有 1.56W 的功耗和 6.7A 的連續(xù)漏極電流。此 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 6V 和 10V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?適配器開關(guān)
?負(fù)載開關(guān)

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC 61249-2-21