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Infineon IHW30N110R3FKSA1 IGBT

訂貨號(hào)：IHW30N110R3FKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon TrenchStop IGBT 晶體管，電壓 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶體管，帶電壓額定值為 1100 至 1600V 的集電極-發(fā)射極，采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶集成高速、快速恢復(fù)防并聯(lián)二極管的設(shè)備。

? 集電極-發(fā)射極電壓范圍 1100 至 1600V
? 極低 VCEsat
? 低關(guān)閉損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最高接點(diǎn)溫度 175°C

IGBT 分立件和模塊，Infineon

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	60 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1100 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	333 W
封裝類(lèi)型	TO-247
安裝類(lèi)型	通孔
通道類(lèi)型	N
引腳數(shù)目	3
晶體管配置	單
尺寸	16.13 x 5.21 x 21.1mm

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