來自 Fairchild Semiconductor 的一系列場截止溝道 IGBT，已通過壓力測試，并符合 AEC-Q101 標準。
? 正溫度系數易于并行操作
? 高電流容量
? 低飽和電壓
? 高輸入阻抗
? 收緊參數分布
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263（每包 800 個）
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247（每包 30 個）
所述電流額定值在結點溫度為 Tc = +100°C 時適用。
AEC-Q101
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 40 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 600 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 208 W |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
