V - 系列，第 6 代現場擋塊
U/U4 系列，第 5 代現場擋塊
S - 系列，第 4 代 NPT
模塊內每晶體的最大集電極電流 (Ic) 值是額定的。
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 75 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 385 W |
| 封裝類型 | M636 |
| 配置 | 3 相橋接 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 28 |
| 晶體管配置 | 3 相 |
| 尺寸 | 107.5 x 45 x 17mm |
