產(chǎn)品分類

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      onsemi ISL9V3040D3ST IGBT

      訂 貨 號(hào):ISL9V3040D3ST      品牌:意法半導(dǎo)體_ST

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      onsemi ISL9V3040D3ST IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      分離式 IGBT,F(xiàn)airchild Semiconductor

      IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor

      絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 21 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 300 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±10V
      最大功率耗散 150 W
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      開(kāi)關(guān)速度 1MHz
      晶體管配置
      尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
      暫無(wú)

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