產(chǎn)品分類

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      onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT

      訂 貨 號:NXH450B100H4Q2F2SG      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價:¥0.00

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      onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      ON Semiconductor Q2BOOST 模塊是 Si 或 SiC 混合三通道對稱升壓模塊。每個通道包含兩個 1000 V , 150 A IGBT ,兩個 1200 V , 30 A SiC 二極管和兩個 1600 V , 30 A 旁路二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。

      硅或 SiC 混合技術(shù)可最大程度提高功率密度
      低切換損耗可減少系統(tǒng)功耗
      低電感布局
      壓配和焊接引腳選項
      此設(shè)備無鉛,無鹵,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 101 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1000 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      晶體管數(shù) 2
      最大功率耗散 79 W
      封裝類型 Q2BOOST - 箱 180BR (無鉛和無鹵化物焊接引腳)
      暫無

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