ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG 是包含三通道升壓級的電源模塊。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二極管提供更低的傳導(dǎo)損耗和切換損耗,使設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和卓越的可靠性。
40 m/1200 V SiC MOSFET 半?Ω 橋接
電熱調(diào)節(jié)器
具有預(yù)應(yīng)用熱接口材料和不帶預(yù)應(yīng)用 TIM 的選項
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這些設(shè)備無鉛,無鹵化物,且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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晶體管數(shù) | 3 |
最大功率耗散 | 156 W |
封裝類型 | Q1 3 通道升壓 - 箱 180BQ 焊接引腳 (無鉛) |