當前位置： 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > IGBT器件 > 低功率IGBT
+比較
訂 貨 號：SIA456DJ-T1-GE3 品牌：威世_Vishay
庫存數量：10 品牌屬性：
品牌商價：￥0.00
環 球 價： 登陸后可查看
型號：FP30R06W1E3B11BOMA1
價格： ￥0
庫存：10
訂貨號： FP30R06W1E3B11BOMA1
型號：FF150R12RT4HOSA1
訂貨號： FF150R12RT4HOSA1
型號：STGIB15CH60TS-L
訂貨號： STGIB15CH60TS-L
型號：MWI200-06A8
訂貨號： MWI200-06A8
Vishay SIA456DJ 是 N 溝道 MOSFET ，具有 200V 的漏極至源電壓 (VDS) 和 16V 的柵極至源電壓 (VGS)。它采用 POWER PAK SC-70 封裝。它在 4.5VGS 時提供 1.38ohm 的漏極到源電阻 (RDS) ，在 2.5VGS 時提供 1.5ohm 的電阻。最大漏極電流 2.6A。
Trench FET 功率 MOSFET熱增強型 Power PAK SC-70 封裝占地面積小
手機版
關注公眾號
Copyright (C) 環球電氣之家 2010-2030, All Rights Reserved， 備案號：滬ICP備08101542號-9
