STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 專有溝道柵極場停止結構開發(fā)。此設備是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表傳導和切換損耗之間的最佳平衡，以最大程度提高高切換頻率轉換器的效率。此外， VCE (sat) 溫度系數略為正，參數分布非常緊密，可實現(xiàn)更安全的并聯(lián)操作。

最大接點溫度 TJ = 175 °C
μs 耐受時間為 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
嚴格的參數分布
正 VCE (sat) 溫度系數
低熱阻
反并聯(lián)二極管恢復速度非常快