IXYS XPT（超強光穿透）IGBT 具有 29 A 到 178 A 的額定電流范圍，非常適合用于高電壓、高速功率轉換應用。這些設備采用專有的薄芯片 XPT 技術和最先進的 IGBT 工藝設計而成，具有低熱阻、低尾電流、低能耗和高速切換能力等特性。此外，得益于其通態電壓的正溫度系數，新型高電壓 IGBT 可并聯使用，提供比串聯的低電壓設備更經濟高效的解決方案。
薄芯片 XPT 技術
低通態電壓 VCE(sat)
Co-pack 快恢復二極管
正溫度系數 VCE(sat)
高效率
增強電源系統可靠性
應用
脈沖發生器電路
激光和 X 射線發生器
高電壓電源
高電壓測試設備
電容器放電電路
交流開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 100 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1700 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20 V, ±30V |
| 最大功率耗散 | 937 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | TO247AD |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
