這款意法半導(dǎo)體產(chǎn)品為采用先進的專有場截止型溝槽柵結(jié)構(gòu)開發(fā)的 IGBT。此設(shè)備屬于 H 系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT),可在傳導(dǎo)和切換損耗之間實現(xiàn)最佳平衡,從而最大程度地改善切換頻率轉(zhuǎn)換器的效率。此外,VCE(sat) 溫度系數(shù)略微偏正且參數(shù)分布非常緊密,可讓并聯(lián)操作更安全。
AEC-Q101 認證
高速切換系列
并聯(lián)更安全
參數(shù)分布更緊密
低熱電阻
反并聯(lián)軟快恢復(fù)二極管
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 60 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 20V |
最大功率耗散 | 260 W |
晶體管數(shù) | 1 |
配置 | 單 |
封裝類型 | H2PAK-2 |