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      STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT

      訂 貨 號(hào):STGW8M120DF3      品牌:Tronics

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      1200 V IGBT M 系列基于溝道場截止 (TFS) 技術(shù),設(shè)計(jì)用于在 2 至 20 kHz 切換頻率下工作的應(yīng)用。這些 IGBT 具有高度優(yōu)化的傳導(dǎo)和關(guān)斷特性以及導(dǎo)通損耗,特別適用于應(yīng)用(例如太陽能反相器、焊接設(shè)備、UPS 和工業(yè)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器)中的硬切換電路。

      低損耗 IGBT 系列,用于高達(dá) 20 kHz 的應(yīng)用
      由于達(dá)到 1200 V 的擊穿電壓,因此堅(jiān)固耐用,非常可靠
      薄型 IGBT 模具,用于增加熱阻
      正 VCE(sat) 溫度系數(shù),具有嚴(yán)格的參數(shù)分布
      優(yōu)化二極管,確保快速恢復(fù)

      短路耐受時(shí)間為 11 μs
      嚴(yán)格的參數(shù)分布
      更安全的并聯(lián)
      低熱阻
      反并聯(lián)二極管柔軟且可快速恢復(fù)


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 16 A @ +25°C
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      晶體管數(shù) 1
      最大功率耗散 167 W
      封裝類型 TO
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      開關(guān)速度 1MHz
      晶體管配置
      尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm
      暫無

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