STMicroelectronics HB2 650 v 、但其代表著先進 Advanced trench gate field-stop 結構的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導性能得到了優化。僅用于保護目的的二極管與電極絕緣并聯封裝。結果是專門設計用于最大程度提高效率的產品、適用于各種快速應用。
最大接點溫度為 175°c
共封裝保護二極管
最小化尾電流
嚴格的參數分布
低熱阻
正溫度系數
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 86 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 最大功率耗散 | 272 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
