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      IXYS MMIX1X200N60B3H1 IGBT

      訂 貨 號(hào):MMIX1X200N60B3H1      品牌:艾賽思_IXYS

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      IXYS MMIX1X200N60B3H1 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列

      IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù),可降低熱電阻和能源損耗。 這些設(shè)備提供快速切換時(shí)間,具有低尾線電流,并提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有封裝。

      高功率密度和低 VCE(sat)
      方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達(dá)額定擊穿電壓
      短路容量,確保 10usec
      正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
      可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
      國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和專有高電壓封裝

      IGBT 分立元件和模塊,IXYS

      絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 175 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 600 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±30V
      最大功率耗散 520 W
      封裝類型 SMPD
      安裝類型 表面貼裝
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 24
      開(kāi)關(guān)速度 10 → 30kHz
      晶體管配置
      尺寸 25.25 x 23.25 x 5.7mm
      暫無(wú)

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