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      onsemi NXH100B120H3Q0STG IGBT

      訂 貨 號:NXH100B120H3Q0STG      品牌:意法半導體_ST

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      onsemi NXH100B120H3Q0STG IGBT
      產品詳細信息

      NXH100B120H3Q0 是一款電源模塊,包含一個雙升壓級,由兩個 50A/1200V IGBT、兩個 20A/1200V SiC 二極管和兩個用于 IGBT 的 25A/1600V 反并聯二極管組成。包括兩個用于浪涌電流限制的附加 25A/1600V 旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。

      IGBT 規格:VCE(SAT) = 1.77 V,ESW = 2180 uJ
      快速 IGBT,帶低 VCE (SAT),用于提高效率
      25 A/1600 V 旁通和防并聯二極管
      低 VF 旁路二極管,可在旁路模式下提高出色的效率
      SiC 整流器規格:VF = 1.44 V
      SiC 二極管,確保高速切換
      提供焊接引腳和壓配引腳選項
      安裝靈活
      應用
      mppt 升壓級
      電池充電器升壓級


      屬性 數值
      最大集電極-發射極電壓 1200 V
      最大柵極發射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 186 W
      封裝類型 Q0BOOST
      配置
      安裝類型 表面貼裝
      通道類型 N
      引腳數目 22
      晶體管配置 雙路
      尺寸 66.2 x 32.8 x 11.9mm
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