產(chǎn)品分類

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      威世 SI7121ADN-T1-GE3 IGBT

      訂 貨 號(hào):SI7121ADN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      威世 SI7121ADN-T1-GE3 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 表面安裝 P 溝道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新時(shí)代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 30V ,最大柵極源電壓為 25V。它在柵極源電壓為 10V 時(shí)具有 15 mohms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 27.8W ,連續(xù)漏極電流為 18A。它的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V。此產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。借助此 MOSFET ,可以以更低的成本實(shí)現(xiàn)出色的性能和效率。MOSFET 提供出色的效率和長(zhǎng)工作壽命,而不影響性能或功能。

      特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

      ? 無(wú)鹵素
      ?小尺寸低熱阻 Powerpak 封裝
      ?最大耗散功率為 27.8W
      ?工作溫度范圍介于 -50°C 和 150°C 之間
      ? TrenchFET 功率 MOSFET

      應(yīng)用

      ?移動(dòng)計(jì)算
      ?適配器開關(guān)
      ?負(fù)載開關(guān) - 電池管理
      ? 筆記本電腦
      ? 電源管理

      認(rèn)證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ?經(jīng)過(guò) RG 測(cè)試
      ? UIS 測(cè)試


      暫無(wú)

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