這些雙 N 通道和 P 通道增強模式功率場效應晶體管采用 Advanced PowerTrench 工藝生產，該工藝經過特別定制，可最大限度地降低電阻，同時保持卓越的開關性能。這些器件非常適合低電壓和電池供電的應用，這些應用需要低線電源損耗和快速切換。
問題 1 ： N 信道
7.0 A ， 30 V
RDS (on) =28 M Ω @VGS =10 V
RDS(on) =40m Ω @VGS =4.5 V
問題 2 ： P 信道
-5 A ， -30 V
RDS (on) =52m Ω @VGS=-10V
RDS(on) =80m Ω @VGS=-4.5 V
快速切換速度
高功率和處理能力，采用廣泛使用的表面安裝封裝
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 引腳數目 | 8 |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
