這種 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ? 工藝制造，該工藝經(jīng)過(guò)特別定制，可最大程度地降低電阻，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。

最大 RDS (on) =5.8M Ω ， VGS =10V ， ID =13.5A
最大 RDS (on) =8.0M Ω ， VGS = 4.5V ，識(shí)別號(hào) =11.8 A
薄型 - 最大功率為 1 mm 33
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。