當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





訂 貨 號(hào):TPH7R506NH 品牌:東芝_Toshiba
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或 MOSFET 是用于放大或切換電子信號(hào)的晶體管。
氧化物絕緣的柵極上的電壓可在其它兩個(gè)觸點(diǎn)(稱(chēng)作源極和漏極)之間感應(yīng)出一個(gè)導(dǎo)電通道。該通道可為 N 型或 P 型。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 55 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類(lèi)型 | SOP 高級(jí) |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 19 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長(zhǎng)度 | 5mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |