| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N,P |
| 最大連續漏極電流 | 9.3 A,9.6 A |
| 最大漏源電壓 | 35 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 65 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 8.9 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18.7 nC @ 10 V,19.2 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 6.7mm |
| 寬度 | 6.2mm |