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訂 貨 號(hào):IRF9Z24NPBF 品牌:IR/國(guó)際整流器
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件,以及可應(yīng)對(duì)幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計(jì)難題的外形尺寸。在整個(gè)系列內(nèi),電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 175 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | Si |