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訂 貨 號(hào):IRF7309PBF 品牌:IR/國(guó)際整流器
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備,以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng),設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 N/P 通道配置。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N,P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 3 A,4 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類(lèi)型 | SOIC |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 50 mΩ, 100 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| 長(zhǎng)度 | 5mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |