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Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET

訂貨號：SI4435DYTRPBF 品牌：英飛凌_Infineon

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P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

International Rectifier 的這些 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新加工工藝在單位硅面積實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻。此優(yōu)勢為設(shè)計人員提供及其高效地設(shè)備，用于電池和負(fù)載管理應(yīng)用。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框增強(qiáng)熱特性和多模能力，特別適合各種電源應(yīng)用。憑借這些改進(jìn)，用戶可以在應(yīng)用中使用多個設(shè)備，顯著減少板空間。該封裝設(shè)計用于汽相、紅外線或波峰焊接工藝。

優(yōu)點：
P 溝道 MOSFET

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	8 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SO
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	35 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	20 V
寬度	4mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	40 nC @ 10 V
長度	5mm

暫無

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