Wolfspeed 介紹了 SiC 功率器件技術的最新突破，推出業內僅 1kV 的 SiC MOSFET，采用新優化封裝，適用于快速切換設備。經優化可用于電動車輛充電系統和三相工業電源，此新型 1kV 器件通過提供具有低導通電阻、極低輸出電容和低源電感的獨特器件，解決了許多電源設計難題，完美融合了低切換損耗和低傳導損耗。
在整個工作溫度范圍內具有最小 1kV 的動態比特率
低源電感封裝，帶單獨的驅動器源引腳
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
快速固有二極管，具有低反向恢復（反向恢復電荷）
易于并行且易于驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 22 A |
| 最大漏源電壓 | 1000 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 170 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 83 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | +15 v 、 +9 v |
| 寬度 | 9.12mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 21.5 @ 4/+15 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | SiC |
| 長度 | 10.23mm |
