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Infineon coolsic ? 1200 v 、 350 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-3 封裝，基于最先進的 trench 半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化可將性能與可靠性相結(jié)合。與基于硅（ si ）的傳統(tǒng)開關(guān)（如溝器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列優(yōu)勢。這些包括 1200 v 開關(guān)中可見的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平、內(nèi)部防換向主體二極管無反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無閾值通態(tài)特性。

同類最佳的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關(guān)閉柵極電壓、用于輕松簡單的柵極驅(qū)動
寬柵 - 源電壓范圍
堅固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨立關(guān)閉開關(guān)損耗