Microchip 增強(qiáng)型常閉晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和 Supertex 久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應(yīng)用。

無次級擊穿
低功率驅(qū)動要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益