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| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 100 mA |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | USM |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.1V |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -10 V、+10 V |
| 寬度 | 1.25mm |
| 長度 | 2mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |